真空加熱腔體是用來(lái)提供超高真空環(huán)境的設備。在超高真空環(huán)境下，科學(xué)研究的對象不會(huì )受到環(huán)境中雜質(zhì)的影響，所以超高真空廣泛應用于表面研究、分子束外延（MBE）生長(cháng)、電子能譜儀、粒子加速器等領(lǐng)域中。這種真空腔體是為減少了半導體應用中真空腔的個(gè)數而研發(fā)的，而晶圓容量幾乎不變。這種結構采用了配備有壓差真空凹槽的預置空氣軸承的移動(dòng)真空。產(chǎn)品的特點(diǎn)有改善的機臺定位的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)響應，抽氣時(shí)間、穩定時(shí)間縮短等。

　　真空加熱腔體主要用于分子束外延薄膜生長(cháng)及測量。一般而言，腔體呈橢球、圓柱形等，在其柱壁上根據需要制造一些接口，用于連接測量及生長(cháng)設備，連接視窗后也可供實(shí)驗者觀(guān)察腔內情況。這些接口被稱(chēng)為法蘭口，法蘭的尺寸有相應的行業(yè)標準，根據需要和接入儀器的法蘭接口大小在設計腔體時(shí)就要考慮好每個(gè)法蘭口的大小，角度，位置等參數。事實(shí)上，設計真空腔體的難點(diǎn)，就是要在有限的腔體表面上，設計出合理的法蘭數和法蘭位置，令腔體功能在滿(mǎn)足實(shí)驗要求的同時(shí)具有進(jìn)一步擴展的靈活性，以適應實(shí)驗者不斷提出的新想法和新要求。

　　真空加熱腔體中的高能電子衍射（RHEED）：高能電子衍射是常用的判斷襯底及薄膜樣品單晶程度的方法。高能電子衍射槍發(fā)出電子沿著(zhù)需要觀(guān)察的薄膜晶向掠入射在高能電子衍射屏涂有熒光粉）上形成電子衍射條紋。高能電子衍射槍和屏夾角約180度，連線(xiàn)經(jīng)過(guò)中心點(diǎn)。因為薄膜為二維結構，所以其單晶晶格在倒易空間中表現為一系列的倒易棒，高能電子在倒易空間中表現為一個(gè)半徑很大的球面。兩者相切，即得到一系列平行的衍射條紋，間距由薄膜的晶格常數決定。這樣的高能電子衍射條紋，就可以證明樣品的單晶程度是否良好。