不銹鋼真空腔體廣泛應用于表面研究、分子束外延（MBE）生長(cháng)、電子能譜儀、粒子加速器等領(lǐng)域中。一般而言，腔體呈橢球、圓柱形等，在其柱壁上根據需要制造一些接口，用于連接測量及生長(cháng)設備，連接視窗后也可供實(shí)驗者觀(guān)察腔內情況。這些接口被稱(chēng)為法蘭口，法蘭的尺寸有相應的行業(yè)標準，根據實(shí)驗需要和接入儀器的法蘭接口大小在設計腔體時(shí)就要考慮好每個(gè)法蘭口的大小角度，位置等參數。事實(shí)上，設計真空腔體的難點(diǎn)，就是要在有限的腔體表面上，設計出合理的法蘭數和法蘭位置，令腔體功能在滿(mǎn)足實(shí)驗要求的同時(shí)具有進(jìn)一步擴展的靈活性，以適應實(shí)驗者不斷提出的新想法和新要求。

 

　　不銹鋼真空腔體的功能劃分集中，主要為生長(cháng)區，傳樣測量區，抽氣區三個(gè)部分。對于分子束外延生長(cháng)腔，重要的參數是其中心點(diǎn)A的位置，即樣品在生長(cháng)過(guò)程中所處的位置。所以蒸發(fā)源，高能電子衍射（RHEED）槍?zhuān)吣茈娮友苌淦?，晶體振蕩器，生長(cháng)擋板，CCD，生長(cháng)觀(guān)察視窗的法蘭口均對準中心點(diǎn)。

 

　　蒸發(fā)源：由鎢絲加熱盛放生長(cháng)物質(zhì)的坩鍋，通過(guò)熱偶絲測量溫度，坩鍋中的物質(zhì)被加熱蒸發(fā)出來(lái)，在處于腔體中心點(diǎn)的襯底上外延形成薄膜。每個(gè)蒸發(fā)源都有其各自的蒸發(fā)源擋板控制源的開(kāi)閉，可以長(cháng)出多成分或成分連續變化的薄膜樣品。

 

　　高能電子衍敏RHEED）高能電子衍射是常用的判斷襯底及薄膜樣品單晶程度的方法。高能電子衍射槍發(fā)出電子沿著(zhù)需要觀(guān)察的薄膜晶向掠入射在高能電子衍射屏涂有熒光粉）上形成電子衍射條紋。高能電子衍射槍和屏夾角約180度，連線(xiàn)經(jīng)過(guò)中心點(diǎn)。因為薄膜為二維結構，所以其單晶晶格在倒易空間中表現為一系列的倒易棒，高能電子在倒易空間中表現為一個(gè)半徑很大的球面。兩者相切，即得到一系列平行的衍射條紋，間距由薄膜的晶格常數決定。這樣的高能電子衍射條紋，就可以證明樣品的單晶程度是否良好。

 

　　晶體振蕩器：晶體振蕩器是分子束外延生長(cháng)的定標設備。定標時(shí)，待蒸發(fā)源蒸發(fā)速度穩定后，將石英振蕩器置于中心點(diǎn)。通過(guò)讀出石英振蕩器振蕩頻率的變化，可以知道蒸發(fā)源在單位時(shí)間內在襯底上長(cháng)出薄膜的厚度。有的真空腔體將晶振放在樣品架放置樣品位置的反面（如小腔），在新腔體的設計中獨立設計了水冷晶振的法蘭口，用一個(gè)直線(xiàn)運動(dòng)裝置（Linear Motion）控制晶振的伸縮。