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直流負壓濺射和直流濺射有什么區別

更新時(shí)間:2024-01-08點(diǎn)擊次數:588

直流負壓濺射和直流濺射  在直流濺射中,帶正電的離子被吸引到接地的、帶負電的濺射靶上,從靶材上濺射出原子,然后這些原子在樣品(也稱(chēng)為襯底)上沉積形成薄膜。通常情況下,濺射靶被接到正極,而樣品端(襯底)被接到負極或接地。
 
 

   然而,有些情況下(如反濺射或偏壓濺射),樣品端會(huì )被接到正極以吸引多余的離子,從而實(shí)現清潔襯底表面或形成離子轟擊確保薄膜和基底的結合強度。這種電源連接方式可以提高薄膜的層內應力,改善其結晶性能,以及提高薄膜沉積效率。


 

   這種操作需要一定的注意事項,因為樣品端上高電壓可能會(huì )導致放電,影響設備的穩定性和薄膜的質(zhì)量,還有可能對樣品造成損壞。根據具體的設備設計和操作要求,可能需要在樣品端和電源之間添加一個(gè)抗電弧裝置來(lái)降低這種風(fēng)險。


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